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　　近日，西安电子科技大学郝跃院士团队成员材料学院王宏副教授、微电子学院马晓华教授等设计研发了一种模拟神经元间信号传导的可溶性忆阻器，相关成果“Physically Transient Memristive Synapse with Short-Term Plasticity Based on Magnesium Oxide”发表在IEEE Electron Device Letters期刊上;被IEEE (国际电气与电子工程师协会)的旗舰出版物IEEE Spectrum特别报道。

　　模仿人脑神经网络的类脑神经形态器件可构建高智能、低功耗类脑芯片。有记忆功能的非线性电阻-忆阻器，能够用来模拟生物突触和神经元的信息处理功能，是实现人工神经网络的理想选择。另一方面，物理瞬态电子是指电子器件或者系统在完成它的使命后可物理消失。将可随需消失的瞬态材料与忆阻器件结合起来，可实现神经网络的安全应用。例如，当信息安全受到威胁时，可以将瞬态芯片设备扔进水里，同时这样的设计还可以产生更环保的电子器件。近日，团队在该领域取得重要进展，成功设计了一种可溶于水的神经形态忆阻器件。

　　课题组提出一种水辅助转印方法，将采用传统微纳加工技术制备的器件阵列转移到瞬态基底上，得到了一种可物理消失的模拟神经元间信号传导的忆阻器(30分钟内可在水中完全溶解)，可以很好的实现神经突触的短期可塑性，这为实现安全的神经形态计算应用打下了基础。

　　瞬态忆阻器实现安全神经计算的示意图

　　器件阵列照片及其在水中溶解过程

　　据悉，《IEEE Spectrum》是IEEE的旗舰科技杂志，主要用于报道电气、电子以及计算机领域在学术界和工业界的最前沿的研究进展，并展望与讨论未来的技术发展趋势。

　　作者简介：

　　孙静，先进材料与纳米科技学院2015级博士研究生，师从马晓华教授。跟随团队的王宏副教授开展物理瞬态忆阻器方面的研究工作。

　　王宏，先进材料与纳米科技学院副教授，2017入选陕西省“百人计划”青年项目;主要从事物理瞬态电子器件及其集成方法的研究，在物理瞬态电子器件、集成方法及其新型功能探索方面取得一系列研究成果，在IEEE Electron Device Letters, Advanced Materials, Advanced Functional Materials等期刊发表SCI论文50余篇，相关成果被IEEE Spectrum， New Scientist, Nanowerk等作为研究亮点进行报道。

　　论文原文链接：

　　https://ieeexplore.ieee.org/document/8667065

　　IEEE Spectrum 原文链接：

　　https://spectrum.ieee.org/tech-talk/semiconductors/memory/now-you-see-it-now-you-dont-a-soluble-memristor